微電子材料測試試驗

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注意：因業務調整，暫不接受個人委托測試望見諒。

測試樣品：微電子材料

測試項目

砷化擦材料雜質濃度，砷化擦材料熱穩定性，砷化擦材料霍爾遷移率、電阻率均勻性，硅單晶完整性，硅單晶電阻率，硅外延層、擴散層和離子注入層薄層的電阻，硅外延層厚度，硅外延層晶體完整性，硅外延層電阻，硅多晶斷面夾層，硅拋光片氧化誘生缺陷，硅拋光片表面質量，半絕緣砷化擦單晶中碳濃度，多晶硅表面金屬，導電類型，少子壽命，工業硅中雜質元素含量，徑向電阻率變化，電阻率與摻雜劑濃度換算，晶向，晶片彎曲度，晶片翹曲度，砷化擦單晶AB微缺陷，砷化擦單晶EL2濃度，砷化擦單晶位錯密度，砷化擦和磷化材料霍爾系數測試等

測試周期：7-15個工作日，試驗可加急

測試標準

半絕緣砷化鎵剩余雜質濃度微區試驗方法 SJ20635-1997方法104

砷化鎵單晶材料測試方法 GJB1927-1994方法101

硅晶體完整性化學擇優腐蝕檢驗方法 GB/T1554-2009

硅單晶電阻率測定方法 GB/T1551-2009

硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定 直排四探針法 GB/T14141-2009

重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法 GB/T14847-2010

硅外延層電阻 GB/T14141-2009

硅多晶斷面夾層化學腐蝕檢驗方法 GB/T4061-2009

硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法 GB/T4058-2009

硅拋光片表面質量目測檢驗方法 GB/T6624-2009

半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測試方法 GB/T19199-2015

酸浸取-電感耦合等離子質譜儀測定多晶硅表面金屬雜質 GB/T24582-2009

實驗儀器

測試流程

注意事項

1.具體的試驗周期以工程師告知的為準。

2.文章中的圖片或者標準以及具體的試驗方案僅供參考，因為每個樣品和項目都有所不同，所以最終以工程師告知的為準。

3.關于（樣品量）的需求，最好是先咨詢我們的工程師確定，避免不必要的樣品損失。

4.加急試驗周期一般是五個工作日左右，部分樣品有所差異

5.如果對于（微電子材料測試試驗）還有什么疑問，可以咨詢我們的工程師為您一一解答。